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技術(shù)干貨| 低介電常數(shù)材料的失效分析

閱讀:1288      發(fā)布時(shí)間:2023-10-8
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低介電常數(shù)材料簡介


        低介電常數(shù)材料是指介電常數(shù)較小的材料,通過降低集成電路中使用的介電材料的介電常數(shù),可以降低集成電路的漏電電流、降低導(dǎo)線之間的電容效應(yīng)、降低集成電路發(fā)熱等等,更可以有效提升電子元器件的速度。


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如何降低材料的介電常數(shù)?


        既然降低材料的介電常數(shù)有那多好處,那如何降低材料的介電常數(shù)呢?


        降低介電常數(shù)的方法有多種方法,其中一種方法是通過添加一些添加劑來改變材料的物理和化學(xué)性質(zhì),從而降低其介電常數(shù)。例如,添加一些氟化物或氧化物可以降低陶瓷的介電常數(shù)。


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低介電常數(shù)材料應(yīng)用存在的問題


        雖然低介電常數(shù)材料具有各種優(yōu)點(diǎn),但在實(shí)際應(yīng)用中需要提前知悉使用低介電常數(shù)材料的相關(guān)風(fēng)險(xiǎn)。


        與二氧化硅相比,低介電常數(shù)材料有較低的密度和松軟的結(jié)構(gòu),使其更容易受到外部力量的破壞。此外,由于其熱傳導(dǎo)性能較差,不利于內(nèi)部熱量的散發(fā);同時(shí),它的熱膨脹系數(shù)也與金屬不匹配,可能導(dǎo)致分層和裂紋的產(chǎn)生。另外,低介電常數(shù)材料與金屬層之間的機(jī)械強(qiáng)度存在差異,這也易導(dǎo)致分層和裂紋的出現(xiàn)。最后,Cu易擴(kuò)散進(jìn)入低介電常數(shù)材料的孔隙中,從而影響芯片的可靠性。


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低介電常數(shù)材料的失效分析難點(diǎn)


        同樣基于低介電常數(shù)材料的材料特點(diǎn),在對(duì)低介電常數(shù)材料進(jìn)行失效原因分析的時(shí)候容易由于分析設(shè)備電子束直接造成對(duì)樣品的傷害,導(dǎo)致無法有效分析其失效原因。


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        其中有效的解決方法包括:


        1.   涂層Pt可改善樣品導(dǎo)電性,減弱荷電效應(yīng);


        2.   降低SEM觀察電壓,減小高能電子束輻射損傷和荷電效應(yīng);


        3.   減小工作距離,可提高圖像分辨率,彌補(bǔ)電壓降低的不利影響;


        4.   減弱束流,弱化電子束的短時(shí)轟擊損傷;


        這些措施可以幫助保護(hù)樣品,同時(shí)提高圖像質(zhì)量。


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        根據(jù)我們的研究結(jié)果,我們可以得出以下結(jié)論:


        1.   低電壓電流對(duì)低介電常數(shù)材料造成的損傷相對(duì)較小。在實(shí)驗(yàn)過程中,我們發(fā)現(xiàn)使用低電壓電流進(jìn)行操作可以有效地減少low-k材料的損傷程度,在相關(guān)失效分析操作中需要盡可能減低電壓與電流;


        2.   表面dep層可以有效地保護(hù)低介電常數(shù)材料不受損壞。通過在low-k材料表面添加dep層,可以形成一個(gè)保護(hù)層,有效地隔離試驗(yàn)本身對(duì)材料的影響;


        3.   經(jīng)過Cu plating及Cu CMP工藝處理的樣品中,由于應(yīng)力和熱膨脹系數(shù)不匹配等原因,多孔低介電常數(shù)材料會(huì)出現(xiàn)明顯的孔擴(kuò)大現(xiàn)象,可以用于分辨低介電常數(shù)材料與普通的二氧化硅材料。


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