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能力上新 | 廣電計(jì)量新增RS105電磁脈沖測(cè)試系統(tǒng)2024/12/05: 為更好服務(wù)北方區(qū)域客戶群體，廣電計(jì)量北京電磁兼容實(shí)驗(yàn)室(簡稱：北京EMC實(shí)驗(yàn)室)投入百萬元購入的RS105電磁脈沖測(cè)試系統(tǒng)(以下簡稱：系統(tǒng))近日通過驗(yàn)收并投入使用。北京廣電計(jì)量成為北方區(qū)域少數(shù)擁有該系統(tǒng)的檢測(cè)機(jī)構(gòu)之一，自此具備標(biāo)準(zhǔn)GJB151B-2013的全部測(cè)試能力。系統(tǒng)由專業(yè)的設(shè)備廠家根據(jù)北京EMC實(shí)驗(yàn)室產(chǎn)品及標(biāo)準(zhǔn)技術(shù)要求生產(chǎn)，操作方便、裝卸快速，大大提升了客戶服務(wù)效率及試驗(yàn)?zāi)芰?。RS105電磁脈沖測(cè)試系統(tǒng)平面圖強(qiáng)電磁脈沖是短暫瞬變的強(qiáng)電磁輻射現(xiàn)象，強(qiáng)電磁脈沖干擾對(duì)電子系統(tǒng)具有巨大硬殺傷和軟

技術(shù)干貨|功率場(chǎng)效應(yīng)管過壓失效機(jī)理及典型特征分析2024/09/18: 失效分析最常觀察到的現(xiàn)象是EOS過電失效，分為過壓失效及過流失效的兩種失效模式。對(duì)于以功率器件為代表的EOS過電失效樣品，其失效表征往往表現(xiàn)為芯片的大面積熔融，導(dǎo)致難以進(jìn)一步判定其失效模式。本文以常規(guī)MOS、IGBT場(chǎng)效應(yīng)管為例，從芯片內(nèi)部結(jié)構(gòu)進(jìn)行分析和明確過壓擊穿容易出現(xiàn)的失效位置及機(jī)理解釋。承壓結(jié)構(gòu)分析根據(jù)芯片結(jié)構(gòu)圖示，可見芯片關(guān)閉時(shí)，承受偏壓的結(jié)構(gòu)主要包括柵氧、PN交界面(橙色箭頭分布區(qū)域)。不同承壓位置分析1、元胞區(qū)柵氧與PN交界面耐壓分析分析單個(gè)元胞，可見承壓主要由N-區(qū)耗盡層承擔(dān)。耗

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